ISBN 978-3-8439-0349-3

978-3-8439-0349-3, Reihe Elektrotechnik

Min Zhang
Active-Learning-basierte statistische Modellierung und Analyse der Leckströme mikroelektronischer Schaltungen

136 Seiten, Dissertation Universität Hannover (2012), Hardcover, A5

Zusammenfassung / Abstract

Das Technology Scaling ermöglicht immer umfangreichere Funktionalitäten eines ICs. Entsprechend müssen die Entwicklungswerkzeuge sowohl die steigenden Problemgrößen als auch die neu aufgetretenen Designaspekte berücksichtigen. Spätestens ab der 90-nm-Technologie müssen die Prozessvariation und ihr Einfluss auf den Leckstrom eines ICs berücksichtigt werden. Beim Semi-Custom-Entwurf ist die statistische Modellierung der Standardzellenbibliothek eine fundamentale Aufgabe der statistischen Leckstromanalyse.

In dieser Arbeit wird die statistische Leckstromanalyse auf zwei Abstraktionsebenen durchgeführt. Auf der Gatterebene wird ein Statistical-Learning-basiertes Verfahren zur Modellierung der Standardzellen entwickelt. Auf der Schaltungsebene wird ein zentralmomente-basiertes Verfahren entwickelt, um die statistischen Leckstromverteilungen der ICs zu charakterisieren.