ISBN 978-3-8439-1049-1

978-3-8439-1049-1, Reihe Elektrotechnik

Jost Müller
Charakterisierung integriert-optischer Silizium-Wellenleiter

139 Seiten, Dissertation Technische Universität Hamburg-Harburg (2013), Softcover, A5

Zusammenfassung / Abstract

Diese Arbeit beschreibt Messtechniken zur Charakterisierung integriert-optischer Wellenleitersysteme auf Basis der SOI-Technologie. Hierbei lag der Schwerpunkt auf der Bestimmung der Wellenleiterdämpfung sowie der Lebensdauer freier Ladungsträger. Neben einem neuartigen Verfahren zur räumlich aufgelösten Bestimmung der Wellenleiterverluste mittels optischer Frequenzbereichsreflektometrie (OFDR) wird ein experimenteller Nachweis über das nichtreziproke Verhalten der Raman-Streuung in Siliziumwellenleitern demonstriert. Weiterhin wird ein DUV-Lithografieverfahren zur Herstellung periodischer Strukturen in Fotolacken auf Siliziumsubstraten vorgestellt, das auf der Verwendung von Beugungsgittern basiert.