Datenbestand vom 10. Dezember 2024
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aktualisiert am 10. Dezember 2024
978-3-8439-0349-3, Reihe Elektrotechnik
Min Zhang Active-Learning-basierte statistische Modellierung und Analyse der Leckströme mikroelektronischer Schaltungen
136 Seiten, Dissertation Universität Hannover (2012), Hardcover, A5
Das Technology Scaling ermöglicht immer umfangreichere Funktionalitäten eines ICs. Entsprechend müssen die Entwicklungswerkzeuge sowohl die steigenden Problemgrößen als auch die neu aufgetretenen Designaspekte berücksichtigen. Spätestens ab der 90-nm-Technologie müssen die Prozessvariation und ihr Einfluss auf den Leckstrom eines ICs berücksichtigt werden. Beim Semi-Custom-Entwurf ist die statistische Modellierung der Standardzellenbibliothek eine fundamentale Aufgabe der statistischen Leckstromanalyse.
In dieser Arbeit wird die statistische Leckstromanalyse auf zwei Abstraktionsebenen durchgeführt. Auf der Gatterebene wird ein Statistical-Learning-basiertes Verfahren zur Modellierung der Standardzellen entwickelt. Auf der Schaltungsebene wird ein zentralmomente-basiertes Verfahren entwickelt, um die statistischen Leckstromverteilungen der ICs zu charakterisieren.