ISBN 978-3-8439-2691-1

978-3-8439-2691-1, Reihe Physik

Johannes Helmut Straßner
Epitaktisches Wachstum und optoelektronische Eigenschaften von Ga(As)Sb-Quantenpunkten auf (Al)GaAs bei Variation der Barrieren

102 Seiten, Dissertation Technische Universität Kaiserslautern (2016), Softcover, A5

Zusammenfassung / Abstract

Ziel der Arbeit ist es, das epitaktische Wachstum und die optoelektronischen Eigenschaften von Ga(As)Sb Quantenpunkten für und mit unterschiedlichen quantenmechanischen Barrieren zu untersuchen und zu optimieren. Eine wichtige Fragestellung ist, wie die Emissionswellenlänge der QP durch veränderte Wachstumsparameter in einem Bereich von 0,9 bis 1,3 µm variiert werden kann. Ein anderer Bereich der Untersuchungen dreht sich um die Auswirkungen des Al-Gehalts einer AlxGa1-xAs Barriere auf die optoelektronischen Eigenschaften der QP.